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本公开的实施例涉及电容部件和电子芯片。电容部件包括沟槽以及与沟槽竖直排列的第一氧化硅层的第一部分和包括多晶硅或非晶硅的第二导电层和第三导电层的第一部分，第一层的第一部分位于第二层和第三层的第一部分之间并与第二层和第三层的第一部分接触。...
该专利属于意法半导体(鲁塞)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(鲁塞)公司授权不得商用。

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