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本公开提供了一种存储装置、半导体器件，属于半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、栅极层、栅绝缘层和绝缘层，其中，衬底表面设置有多个第一沟槽和多个第二沟槽，其中，第一沟槽沿第一方向延伸且间隔设置，任一第二沟槽连接相邻的两个第一沟槽，以使得衬底...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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