温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种功率器件及其制造方法，所述功率器件包括衬底、形成在所述衬底上的绝缘介质层和埋置在绝缘介质层中的浮空场板，所述衬底具有至少一个沟槽，所述沟槽中形成有栅极结构，所述沟槽外围的衬底中形成有体区，所述体区的表层中形成有导电类型与体区...
该专利属于中芯集成电路制造(绍兴)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路制造(绍兴)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。