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半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:24584416
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半导体器件包括在半导体器件的衬底之上沿垂直方向堆叠的一串晶体管。该串可以包括第一子串、设置在第一子串之上的沟道连接体和第二子串。第一子串包括第一沟道结构,该第一沟道结构具有沿垂直方向延伸的第一沟道层和第一栅极电介质结构。第二子串堆叠在沟道连...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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