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提供一种半导体器件。该半导体器件包括基板和堆叠结构，在该堆叠结构中多个绝缘层和多个电极层交替地堆叠在基板上。半导体器件包括穿过堆叠结构的多个虚设沟道结构。此外，半导体器件包括接触结构，该接触结构与所述多个虚设沟道结构中的与其相邻的至少一个接...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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