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一种非易失性存储器件包括：基板，包括单元区域和外围电路区域；在单元区域上的堆叠结构，该堆叠结构包括彼此分隔并依次堆叠的多个栅极图案；半导体图案，穿过堆叠结构连接到基板；外围电路元件，在外围电路区域上；第一层间绝缘膜，在单元区域和外围电路区域...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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