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p通道金属氧化物半导体(pMOS)晶体管包括栅极堆叠体，所述栅极堆叠体包括：基材上的含有硅氧化物的介电中间层，其中，介电中间层的厚度小于1nm；介电常数高于介电中间层的高k介电层；在介电中间层和高k介电层之间并且与介电中间层直接接触的第一偶...
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