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公开了一种C形沟道部半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底上的沟道部，沟道部包括两个或更多个在相对于衬底的横向方向上彼此间隔开且各自的截面呈C形的弯曲纳米片或纳米线；相对于衬底分别处于沟道...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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