温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件包括全环栅场效应晶体管(GAA FET)。GAA FET包括由第一半导体材料制成的沟道区，该沟道区设置在由第二半导体材料制成的底部鳍层上方，以及由第三半导体材料制成的源极/漏极区。第一半导体材料是Si...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。