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提供了一种垂直存储器件，所述垂直存储器件包括：沟道连接图案，所述沟道连接图案位于衬底上；栅电极，所述栅电极在所述沟道连接图案上沿第一方向彼此间隔开；以及沟道，所述沟道沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极和所述沟道连接图案。每个所述栅电极沿基本上...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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