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本申请实施例公开了一种接触凹槽形成的方法及半导体，所述方法包括：提供一半成品的半导体，所述半导体包括对应于不同区域的采用第一材料的第一结构、采用第二材料的第二结构，以及至少顶部采用所述第二材料的第三结构；通过同一第一刻蚀过程，利用所述第一材...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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