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本文公开了具有中性区域以最小化金属栅极边界效应的栅极结构及其制造方法。示例性金属栅极包括第一部分、第二部分和第三部分。第二部分设置在第一部分和第三部分之间。第一部分包括第一栅极介电层、第一p型功函层和第一n型功函层。第二部分包括第二栅极介电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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