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本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。在实施例中，一种形成半导体器件的方法包括：形成在衬底上方突出的鳍；在鳍上方形成栅极结构；在鳍中并且与栅极结构相邻形成凹槽；执行湿法蚀刻工艺以清洁凹槽；利用等离子体工艺来处理凹槽；以及在等离子体工艺...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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