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本发明涉及半导体器件领域，公开了一种3D NAND存储器件及其制造方法。该方法包括：提供衬底；在衬底上形成堆叠层，堆叠层包括交替设置的层间绝缘层和电介质层；在堆叠层中形成沟道孔；氧化电介质层邻近沟道孔最外侧的部分，以及暴露的衬底，形成牺牲氧...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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