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本发明提供一种集成电路电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法，集成电路电容器阵列结构包括：衬底；下电极层，突出的位于衬底上，由下电极层内形成有电容孔；电容介质层，共形地覆盖下电极层的表面；上电极层，共形地覆盖电容介质层的表面；电容极板，区块...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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