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本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，该半导体装置的制造方法包括：于基板上形成多个交替层堆叠；从多个交替层堆叠建构多个纳米片；且于多个纳米片之上形成多个栅极介电质。此方法能够调整纳米片的宽度、厚度、间距与堆叠数量，并可用于单...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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