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本发明公开一种半导体制作工艺，包括以下步骤：提供基底，基底包括主动区，在主动区中的基底上形成栅极，栅极与基底彼此隔离，在基底上形成阻挡层，阻挡层位于主动区中，在阻挡层与栅极之间具有间距，使用阻挡层作为掩模，对基底进行倾斜角离子注入制作工艺，...
该专利属于力晶科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶科技股份有限公司授权不得商用。

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