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晶体管结构与其工艺方法技术
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文档序号:24359302
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本发明公开了一种晶体管结构。所述晶体管结构包含一栅极、一通道区、一漏极和一源极。所述栅极位于一第一硅材料的一硅表面上;所述通道区位于所述硅表面下且包含一第一端和一第二端。所述漏极和所述源极独立于所述第一硅材料且不是由所述第一硅材料所衍生出来...
该专利属于钰创科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过钰创科技股份有限公司授权不得商用。
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