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本发明提供一种3D NAND存储器及其制造方法，包括在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括由在第一方向上连续延伸的多个第二栅线缝隙分割成的存储区块，存储区块的通孔区域中形成有阵列分布的沟道结构，并且在存储区块的通孔区域中还形成有在第一方向上延伸...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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