温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供一种半导体结构及该半导体结构的制备方法。该半导体结构包括一多晶硅层、一基底、一位元线结构以及一间隙子结构。该多晶硅层具有一第一表面以及一第二表面，该第二表面相对该第一表面。该基底位在该多晶硅层的该第二表面上。该位元线结构位在该基底...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。