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本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有源区、隔离结构以及埋入式字线，隔离结构包括第一隔离结构及第二隔离结构；于埋入式字线上形成第一绝缘层；于第二隔离结构上形成第二绝缘层，相邻第二绝缘层与半导...
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