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本发明实施例公开半导体装置及其制造方法。半导体装置包含设置在基底上方的鳍片、设置在鳍片的通道区上方的栅极结构使得栅极结构横过鳍片的源极/漏极区、设置在基底上方的多层互连结构的装置级层间介电层，其中装置级层间介电层包含第一介电层、设置在第一介...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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