温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种3D存储器及其制造方法，该制造方法在层叠结构中形成栅线缝隙之后，去除层叠结构中的牺牲层之前，对栅线缝隙底部的半导体牺牲层，例如多晶硅层进行掺杂，形成间隔排列的掺杂区和非掺杂区，并且非掺杂区的蚀刻速率大于掺杂区的蚀刻速率。这样在...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。