温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种存储器件包括第一半导体结构和第二半导体结构。所述第一半导体结构包括第一衬底以及所述第一衬底上的一个或多个外围器件。所述第二半导体结构包括与多个竖直结构中的第一组电耦合的第一组导电线以及与所述多个竖直结构中的第二组电耦合的第二组导电线，所...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。