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本发明公开了一种超结器件，超结结构采用多次沟槽刻蚀加填充工艺形成，对应沟槽在纵向上分成两个以上的子沟槽，各子沟槽中填充由第二导电类型子柱并叠加形成第二导电类型柱。在各子沟槽的叠加位置处，通过增加叠加位置处的第二导电类型杂质的总量，来提高叠加...
该专利属于深圳尚阳通科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳尚阳通科技有限公司授权不得商用。

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