温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种超结器件，由保护环氧化膜将电流流动区以及终端区的截止区打开，在电流流动区的超结结构的各P型柱的顶部都形成有P型阱；JFET离子注入由保护环氧化膜自对准定义并同时形成JFET区和包围截止区的电场阻挡层；栅极结构采用分栅平面栅结...
该专利属于深圳尚阳通科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳尚阳通科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。