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半导体存储器装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:24291319
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半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括:层叠结构,其包括在基板上交替地层叠的多个导电层和多个层间绝缘层;设置在层叠结构中的多个阶梯槽,多个所述阶梯槽具有彼此不同的深度;以及开口部分,其穿透层叠结构以接触基板并在侧壁上具有台阶...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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