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本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。所述3D存储器件的制造方法包括：在衬底上形成第一叠层结构，所述第一叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个层间绝缘层；形成贯穿所述第一叠层结构的沟道孔，所述沟道孔延伸至所述衬底中；在所述沟道孔的底部形...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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