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半导体装置包括：衬底中的有源区域；隔离膜，其限定衬底中的有源区域；栅沟槽，其延伸穿过有源区域和隔离膜，并且包括有源区域中的第一沟槽和隔离膜中的第二沟槽；栅电极，其包括主栅电极和传输栅电极，主栅电极填充第一沟槽的下部，并且传输栅电极填充第二沟...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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