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本发明涉及一种双向触发的ESD防护器件，包括：可控硅结构，包括：SOI衬底上设置的第一、第二PMOS管、以及双向三极管、第一、第二三极管；双向触发电路包括：串联的第一电阻、电容、第二电阻，以及第一、第二二极管；第一电阻的一端连接第一PMOS...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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