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本发明公开了单根ZnO微米带F‑P模式紫外激光二极管的制备方法。步骤：清洗石英衬底、玻璃衬底和p‑GaN衬底；在p‑GaN衬底一侧制备Ni/Au合金电极；将p‑GaN衬底与石英衬底紧密贴合，并在石英衬底上制备垫片，保证垫片与p‑GaN衬底紧...
该专利属于南京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京航空航天大学授权不得商用。

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