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本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；体区，位于衬底的表面上；掺杂区，自体区表面延伸至体区中；栅叠层，位于体区的表面；以及导电通道，包括穿过体区并与衬底接触的沟槽以及填充在所述沟槽内的导电材料，导电通道与掺杂区分隔...
该专利属于北京燕东微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕东微电子科技有限公司授权不得商用。

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