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本发明涉及集成电路领域，提供了一种半导体结构的形成方法，先在形成有垫氧化层和掩模层的半导体衬底上形成多个第一沟槽，填充第一沟槽形成多个隔离结构，然后依次形成顺应地覆盖于多个隔离结构的顶表面以及它们之间的第二沟槽的内表面的第一介质层以及间隔第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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