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本实用新型涉及一种半导体结构，包括：衬底、焊盘、第一保护层、连接插塞、重布线层、凸块、第二保护层；重布线层包括第一金属线、第二金属线；第二金属线不进行任何电连接。由于第二金属线和第一金属线等高，因此第一金属线上的凸块和第二金属线上的凸块相当...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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