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本公开提供了一种用于形成3D存储设备的栅极结构的方法。该方法包括：在衬底上形成交替绝缘体堆叠层；形成多个狭缝，每个狭缝垂直穿过交替绝缘体堆叠层并沿水平方向延伸；通过多个狭缝去除交替绝缘体堆叠层中的多个牺牲层，以形成多个沟槽；在每个沟槽中形成...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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