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本申请提供一种三维存储器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底，在衬底的堆叠面形成第一堆叠结构；刻蚀第一堆叠结构，以形成贯穿第一堆叠结构的第一子沟道孔；在位于第一子沟道孔的一侧刻蚀第一堆叠结构，以形成贯穿第一堆叠结构的第一子栅缝隙；在第一堆叠...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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