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一种垂直型存储器件包括：多个栅电极，堆叠在衬底上；和垂直沟道结构，沿垂直于衬底的上表面的第一方向穿透所述多个栅电极。垂直沟道结构包括：沿第一方向延伸的沟道；第一填充膜，部分地填充沟道的内部空间；第一衬层，在第一填充膜的上表面的至少一部分上并...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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