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本发明提供一种台阶区形成方法和一种半导体器件的制造方法，用于在基底上蚀刻成形N个连续的基底台阶，设定N为大于2的自然数，且待成形基底台阶自下而上依次为第1基底台阶至第N基底台阶，形成方法包括以下过程：在基底表面上设置光阻胶层；在光阻胶层上制...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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