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本发明提供一种3D NAND存储器及其制造方法，本发明的方法通过刻蚀衬底在衬底上形成条状凸起的第一凸起部，第一凸起部上方和侧壁上形成的背部选择栅氧化物形成背部选择栅切线，将后续形成的背部选择栅切断，实现背部选择栅的分离控制，提升器件的控制时...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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