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本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：在衬底上形成停止层；在所述停止层上形成初始牺牲层；对所述初始牺牲层进行掺杂处理，形成掺杂牺牲层；形成堆叠结构；所述堆叠结构位于所述掺杂牺牲层上；形成多个沟道结构，...
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