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本发明提供一种三维堆叠结构及制备方法，通过形成与贯穿阵列联结线的第一端相接触，且覆盖贯穿阵列联结线的第一端的绝缘层，使得在采用等离子体刻蚀形成贯穿基底联结线的沟槽时，产生的大量电荷会受到绝缘层的阻挡，从而避免对外围电路的可靠性所造成的影响。...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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