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本发明的方法在基板上执行，上述基板在其表面上包括平行半导体翅片的阵列和至少一个伪栅极，该伪栅极横向于翅片取向，并在每侧上由间隔物和层间电介质区域侧接。对基板应用替换金属栅极处理，栅极电介质和金属栅极堆叠替换伪栅极。根据本发明，金属栅极堆叠的...
该专利属于IMEC非营利协会所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会授权不得商用。

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