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以将栅极电极(8)的一部分热氧化而形成的热氧化膜(10a)作为第1层间绝缘膜而进行栅极电极(8)与源极电极(12)的绝缘。通过将栅极电极(8)的一部分热氧化而构成的热氧化膜不成为从SiC表面过于突出的形状，因此不易产生由伴随温度变化等的应力...
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