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碳化硅半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:24133934
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第1导电型的源极区域(8)构成为,其第2导电型的基区(6)侧和其与源极电极(15)欧姆接触的表面侧相比杂质浓度低。例如,将源极区域(8)由设为较低浓度的第1源极区域(8a)和设为比其高浓度的第2源极区域(8b)构成。由此,能够减小负载短路时...
该专利属于株式会社电装所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社电装授权不得商用。
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