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所公开的是半导体器件的鳍片中的蚀刻停止区以及有关的方法。一种半导体器件包括所埋入的区、所埋入的区上的鳍片以及至少部分地围绕鳍片所形成的栅极。与所埋入的区邻接的所述鳍片的至少一部分包括蚀刻停止材料。所述蚀刻停止材料包括经掺杂的半导体材料，所述...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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