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在平台区中具有加厚字线的三维存储器器件及其制造方法技术
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下载在平台区中具有加厚字线的三维存储器器件及其制造方法的技术资料
文档序号:24133920
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本公开提供了一种三维存储器器件,三维存储器器件包括位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠体。存储器堆叠结构位于存储器阵列区中,存储器堆叠结构中的每个存储器堆叠结构包括存储器膜和竖直半导体沟道。接触通孔结构位于平台区中并接触导电层中的相应一个...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。
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