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提供了集成电路器件及其形成方法。形成集成电路器件的方法可以包括：在衬底上形成第一绝缘层和第一导电层，并在第一绝缘层上选择性地形成第二绝缘层。第一绝缘层可以包括凹部，且第一导电层可以在第一绝缘层的凹部中。第二绝缘层可以包括暴露第一导电层的表面...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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