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本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置。例示的实施方式的蚀刻方法在基片被载置于等离子体处理装置的腔室内所设置的基片支承台上的状态下执行。该蚀刻方法中为了从腔室内的气体生成等离子体而供给高频电力。接着，为了利用来自等离子体的正离子来蚀刻基片，在供给...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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