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本申请的一些实施例涉及集成芯片，包括存储器件。存储器件包括设置在半导体衬底上的底部电极。上部电极设置在底部电极上。插入式金属/介电结构夹在底部电极和上部电极之间。插入式金属/介电结构包括在底部电极上方的下介电层、在下介电层上方的上介电层以及...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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