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提供利用双电阻率导电材料形成垂直传导和横向传导的低成本电阻器结构的方法。使用单个沉积工艺步骤将双电阻率导电材料沉积于介电层的开口中。通过以杂质预处理介电材料的一部分来稳定钨的高电阻率β相。介电材料中含有杂质的部分包含横向邻近需要高电阻率β‑...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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